本半导体功率器件采用先进的沟槽栅场截止（Trench Gate Field Stop）技术，基于 8 英寸晶圆制造平台，实现了 650V 耐压等级下的低导通电阻特性。产品集成了优化的栅极驱动结构与温度补偿电路，在 - 55℃至 175℃的宽温范围内保持稳定的电气性能。通过采用银烧结（Ag Sintering）封装工艺，器件的热导率提升 30%，适用于新能源汽车 OBC、工业变频器及光伏逆变器等大功率应用场景，可有效降低系统功耗并提升运行可靠性。